特許
J-GLOBAL ID:200903028111854057
固体撮像素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松隈 秀盛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-339264
公開番号(公開出願番号):特開2002-151673
出願日: 2000年11月07日
公開日(公表日): 2002年05月24日
要約:
【要約】【課題】 裏面照射型の固体撮像素子において、垂直解像度の向上を図り、水平解像度と垂直解像度との差をなくすことを図る。【解決手段】 半導体基体の光照射側と反対側の面に転送電極が設けられた裏面照射型の固体撮像素子であって、受光時に、単位画素毎の転送電極8に所要電圧を印加して転送電極8下の半導体基体内にポテンシャル分布30を形成し、転送電極8下に信号電荷31を集めるようにして成る
請求項(抜粋):
半導体基体の光照射側と反対側の面に転送電極が設けられた裏面照射型の固体撮像素子であって、受光時に、単位画素毎の前記転送電極に所要電圧を印加して転送電極下の半導体基体内にポテンシャル分布を形成し、前記転送電極下に信号電荷を集めるようにして成ることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H04N 5/335 F
, H01L 27/14 B
Fターム (18件):
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA12
, 4M118CA08
, 4M118DB06
, 4M118DB07
, 4M118DB08
, 4M118FA06
, 4M118FA15
, 4M118FA18
, 4M118FA26
, 4M118FA38
, 4M118GA02
, 5C024CX37
, 5C024GY03
, 5C024GY04
, 5C024GY05
, 5C024GZ01
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