特許

J-GLOBAL ID：200903028112833380

波長変換素子とそれの製造方法

発明者： 栗村 直 ,  三浦 道雄 ,  佐脇 一平
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-302747
公開番号（公開出願番号）：特開平6-148705
出願日： 1992年11月13日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：

【要約】【目的】 波長変換素子とそれの製造方法に関し、分極反転が容易にでき、光損傷に対しても強い耐性をもつことを目的とする。【構成】 基板1と、光損傷防止層2と、導波路3から構成されており、前記基板1は非線形光学材料からなり、かつ自発分極1aの方向が厚みまたは幅方向と平行であり、かつ該自発分極1aに対して逆向きの反転分極1bが長手方向に周期的に並設されているものであり、前記光損傷防止層2は、基板1に耐光損傷性を有するイオンを拡散させて光損傷から保護するものであって、少なくとも前記導波路3に周設されているものであり、前記導波路3は、基板1の表面の中央部に、分極1a、1bを過るように細帯状に設けられて、一端部から入射光4が入射して他端部から波長変換された出射光5が出射するものであるように構成する。

請求項（抜粋）：

基板(1) と、光損傷防止層(2) と、導波路(3) を有し、前記基板(1) は、非線形光学材料からなり、かつ自発分極(1a)の方向が厚みまたは幅方向と平行であり、かつ該自発分極(1a)に対して逆向きの反転分極(1b)が長手方向に周期的に並設されているものであり、前記光損傷防止層(2) は、前記基板(1) に耐光損傷性を具えたイオンを拡散させて光損傷から保護するものであって、少なくとも前記導波路(3) に周設されているものであり、前記導波路(3) は、前記基板(1) の表面の中央部に、前記分極(1a)、(1b)を過るように細帯状に設けられて、一端部から入射光(4) が入射して他端部から波長変換された出射光(5) が出射するものであることを特徴とする波長変換素子。