特許

J-GLOBAL ID：200903028118798047

近接場光プローブおよびその作製方法

発明者： 松本 拓也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-238863
公開番号（公開出願番号）：特開2002-048697
出願日： 2000年08月02日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】本発明は、金属の散乱体が誘電体中に埋め込まれ、かつ平均面粗さ10nm以下程度に平坦な近接場光プローブを作製する方法を提供することを目的とする。【解決手段】ダミー膜201を形成したダミー基板202上に金属の散乱体を形成し、その上に誘電体の膜を形成した後、プローブの母体となる基板206を接着し、最後にダミー膜を除去することにより、ダミー基板を除去する。

請求項（抜粋）：

ダミー基板上にダミー膜を形成する工程と、ダミー膜上に金属の散乱体を形成する工程と、散乱体の上に誘電体の膜を形成する工程と、誘電体の膜上に基板を貼りつける工程と、ダミー膜を除去しダミー基板を除去する工程を有することを特徴とする近接場光プローブ作製方法。

IPC (6件)：

G01N 13/14 ,  G01N 13/10 ,  G02B 5/00 ,  G11B 7/135 ,  G11B 7/22 ,  G12B 21/06

FI (6件)：

G01N 13/14 B ,  G01N 13/10 G ,  G02B 5/00 Z ,  G11B 7/135 A ,  G11B 7/22 ,  G12B 1/00 601 C

Fターム (8件)：

2H042AA00 ,  2H042AA02 ,  2H042AA18 ,  2H042AA31 ,  5D119AA22 ,  5D119BB20 ,  5D119JA70 ,  5D119NA05