特許

J-GLOBAL ID：200903028125148260

半導体素子の実装方法とその実装体

発明者： 熊野 豊 ,  白石 司 ,  別所 芳宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-151362
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345918
出願日： 1998年06月01日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】【課題】 信頼性の高い半導体素子の実装体、及びそのような実装体を作業性よく得ることができる半導体素子の実装方法を提供する。【解決手段】 表面に微細な凹凸6を有する回路基板4に半導体素子1をフェースダウンで実装し、半導体素子1と回路基板4の間隙に樹脂8と微細な凹凸6よりも小さな形状を有する無機フィラー9とを含有する液状の樹脂組成物7を充填し、硬化する。

請求項（抜粋）：

半導体素子をフェースダウンで回路基板に実装する半導体素子の実装方法であって、表面に微細な凹凸を有する回路基板に半導体素子を実装し、前記半導体素子と前記回路基板の間隙に少なくとも樹脂と回路基板の前記微細な凹凸よりも小さな形状を有する無機フィラーとを含有する液状の樹脂組成物を充填し、前記液状の樹脂組成物を硬化することを特徴とする半導体素子の実装方法。

IPC (5件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28

FI (4件)：

H01L 23/30 R ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/28 Z ,  H01L 23/12 F