特許

J-GLOBAL ID：200903028137316550

半導体レーザ

発明者： 森 克己 ,  河南 博
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-241473
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013879
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】優れた出力強度を得ることができ、信頼性が高く、且つ、高寿命の半導体レーザを提供する。【構成】 (108)コンタクト層の不純物ドーピング量を2×1019cm-3とし、この比抵抗を1×10-2Ω・cm以下とすることにより、素子構造に帰せられる (108)コンタクト層と (110)オーミック電極の接触面積の減少による素子抵抗の増加分を補い、素子抵抗を低減できる。また、かかる (108)コンタクト層を形成する半導体のバンドギャップエネルギの大きさを出射されるレーザ光の発振波長のエネルギーよりも大きくすることにより、光出力を減衰させないようにする。

請求項（抜粋）：

半導体基板に垂直な方向に光を出射するように当該半導体基板に垂直な方向に形成された共振器を有し、該共振器を形成する半導体層の少なくとも一層が柱状に形成されている面発光型の半導体レーザにおいて、前記柱状の半導体層の上面に形成される半導体コンタクト層に電気伝導を与える不純物濃度が1×1019cm-3以上であることを特徴とする半導体レーザ。