特許

J-GLOBAL ID：200903028137666631

不揮発性メモリセル

発明者： 師岡 久雄 ,  篠原 久人 ,  池田 正明 ,  店村 悠爾 ,  長野 克人
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 南條 眞一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-335926
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089981
出願日： 1991年11月27日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】 大容量かつ充分な書き込み/読み出し速度を有し、強誘電体薄膜に歪みあるいはクラックが入らない不揮発性メモリを得る。【構成】 不揮発性メモリセルを、半導体層表面に離間して形成されたソース領域及びドレイン領域上に各々形成されたソース電極及びドレイン電極、半導体層上のソース電極とドレイン電極の間の離間した部分に形成された強誘電体薄膜及び強誘電体薄膜上に形成された記憶電極から構成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成された半導体層、該半導体層表面に離間して形成されたソース領域及びドレイン領域、前記ソース領域及び前記ドレイン領域上に各々形成されたソース電極及びドレイン電極、前記半導体層上のソース電極と前記ドレイン電極の間の離間した部分に形成された強誘電体薄膜、該強誘電体薄膜上に形成された記憶電極からなることを特徴とする不揮発性メモリセル。

IPC (5件)：

H01L 27/105 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/784 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 441 ,  H01L 29/78 311 J ,  H01L 29/78 371