特許
J-GLOBAL ID：200903028140273926
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-141436
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003860
出願日： 1988年12月20日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】 600°C以下の低温プロセスで、高性能な薄膜トランジスタを有する駆動回路を提供する。【解決手段】 熱伝導率の高い物質を所定の間隔で非晶質半導体層に接触させて固相成長し、結晶粒界がチャネル領域にないように薄膜トランジスタを形成する。
請求項（抜粋）：
非晶質絶縁基板上に、非晶質半導体薄膜を堆積させ、該非晶質半導体薄膜を500°C〜700°Cの低温熱処理により再結晶化させる半導体薄膜の結晶成長方法において、任意の間隔をおいてドット状の突起構造を有する平面グラファイト冶具の上に、前記非晶質半導体薄膜の表面を接触させて設置して低温熱処理することにより前記非晶質薄膜を再結晶化させることを特徴とする半導体薄膜の結晶成長方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/324
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 21/324 Q
, H01L 29/78 627 G
