半導体レーザ装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-000637
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200188
出願日： 1997年01月07日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】結晶欠陥などによるレーザのしきい値電流の増加や寿命低下などがない利得結合形DFBレーザを提供することが目的である。【解決手段】 n形のGaAsからなり(n11)B面(n=1、2、・・・、7)を主面とする基板101上に、所定の間隔で突起102(微細パタン)を形成し、その上にAlGaAsからなるバリア層103を成長し、そして、InGaAsからなるキャリア閉じ込め作用を有する島構造の活性層104を成長中断により形成する。

請求項（抜粋）：

所定の面方位を主面とする基板と、前記基板に格子整合する半導体からなる下部バリア層と、前記下部バリア層上に形成され、前記基板と異なる格子定数を有する半導体からなり、光の進行方向に所定の間隔でマトリクス状に配列された島構造となった量子箱からなる活性層と、前記活性層を含む前記下部バリア層上に形成された上部バリア層とを少なくとも備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。

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