特許
J-GLOBAL ID：200903028146545030
ガスセンサ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
塩入 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-254752
公開番号（公開出願番号）：特開平8-094559
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 厚膜型ガスセンサでの、ロット間の抵抗値変動を防止する。【構成】 金属酸化物半導体膜8に接続した一対の電極を、膜8の内部で複数の枝10〜15に枝別れされ、膜8の外部へ引出し部18で引出し、結合部16に結合する。引出し部18を膜8の抵抗値に応じてカットし、抵抗値を調整する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上にガスにより抵抗値が変化する金属酸化物半導体膜と、この金属酸化物半導体膜に接続した一対の電極と、前記金属酸化物半導体膜を加熱するためのヒータとを設けたガスセンサにおいて、前記金属酸化物半導体膜は基板表面の一部のみを覆うようにし、前記一対の電極の少なくとも一方を、金属酸化物半導体膜の内部で複数の枝に枝別れさせ、かつ枝を金属酸化物半導体膜の外に引き出して、金属酸化物半導体膜の外で枝を結合したことを特徴とする、ガスセンサ。
引用特許：
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