特許

J-GLOBAL ID：200903028146662657

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 吉田 育生 ,  渡辺 憲郎 ,  菊池 卓 ,  宮本 誠司
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立北海セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-006312
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216193
出願日： 1993年01月19日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 CCBバンプが設けられる半導体集積回路装置において、CCBバンプの接続信頼性の向上を図る。【構成】 半導体チップがはんだバンプを介してベース基板に実装される半導体集積回路装置20であって、前記半導体集積回路装置20は、半導体チップ1と、前記半導体チップ1が実装されるベース基板7と、前記半導体チップ1とベース基板7とを外部端子2および8を介して接続し、くびれた構造を備えるはんだバンプ3とから構成され、さらに、前記半導体集積回路装置20は、モジュール基板25にくびれた構造を備える他のはんだバンプ16を介して接続されるものとする。

請求項（抜粋）：

CCBバンプを介して半導体チップを基板に実装する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体集積回路装置のCCBバンプと基板との接合を、前記半導体チップもしくは基板上に形成されたCCBバンプの頂点付近に原子もしくはイオンのビームを照射した後、不活性ガス雰囲気において行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。