特許

J-GLOBAL ID：200903028152032525

磁気抵抗効果素子の製造方法

発明者： 佐藤善顕
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-272764
公開番号（公開出願番号）：特開2002-084017
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】 フリー層の磁化容易軸とピン層の磁化が直交化していて、リニアリティの良好な磁気抵抗効果素子を得ることができる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。【解決手段】 フリー層26の誘導磁気異方性を発現させるとともに、反強磁性層23の規則化を進行させない第1の温度で所定の時間、所定の方向に磁界を印加して、第1の磁界中熱処理を行う工程と、前記反強磁性層23の規則化を進行させるべく、前記第1の温度より低い第2の温度で前記所定の時間より長く、前記所定の方向と直交する方向に磁界を印加して第2の磁界中熱処理を行う工程とを有する。

請求項（抜粋）：

非磁性基板上に、誘導磁気異方性を有する軟磁性材料からなるフリー層と、非磁性分離層と、その磁化が所定の方向に固定されたピン層と、規則化することによって反強磁性を発生して前記ピン層の磁化を固定する規則化型の反強磁性材料からなる反強磁性層とを形成してなる磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記フリー層の前記誘導磁気異方性を発現させるとともに、前記反強磁性層の規則化を進行させない第1の温度で所定の時間、所定の方向に磁界を印加して、第1の磁界中熱処理を行う工程と、前記反強磁性層の規則化を進行させるべく、前記第1の温度より低い第2の温度で前記所定の時間より長く、前記所定の方向と直交する方向に磁界を印加して第2の磁界中熱処理を行う工程とを有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12

FI (6件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

Fターム (12件)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12