特許
J-GLOBAL ID：200903028156059746
半導体素子のための非活性化保護リング
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 今城 俊夫
, 西島 孝喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-253739
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080513
出願日： 2005年09月01日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
【課題】 半導体素子、特にショットキーダイオードのような金属対半導体整流接合を組み込む半導体素子を提供する。【解決手段】 保護リングは、ショットキー接合又はショットキーダイオードの一部である半導体領域に形成される。保護リングは、高抵抗領域を形成するために、半導体コンタクト層を完全にアニール処理することなく半導体コンタクト層内へのイオン注入によって形成される。保護リングは、層のエッジ部か又は代替的に層のエッジ部からある一定距離を離して位置することができる。ショットキー金属接点は、層の上に形成され、ショットキー接点のエッジ部は、保護リングの上に配置される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体構造体に保護リングを形成する方法であって、
コンタクト層を含む半導体本体を準備する段階と、
少なくとも1つのイオン種を前記コンタクト層の少なくとも1つの部分の中に注入し、そこに、ショットキー金属接点のエッジ部が配置されているか又は配置される該コンタクト層の表面の一部分に少なくとも隣接して配置される少なくとも1つの注入領域を形成する段階と、
続いて、前記注入領域を完全にアニール処理することなく前記半導体本体を処理する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/48 E
, H01L29/48 P
4M104AA04
, 4M104BB02
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB14
, 4M104DD26
, 4M104FF13
, 4M104FF31
, 4M104FF34
, 4M104GG03
, 4M104HH18
出願人引用 (6件)
-
米国特許仮出願第60/430,837号
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米国特許出願第10/721,488号
-
米国特許出願第10/780,526号
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審査官引用 (3件)
引用文献：
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