特許

J-GLOBAL ID：200903028159945836

接点バンプを形成する方法及び集積回路と可撓性回路を結合させる方法並びに接点バンプ及び可撓性回路

発明者： ハイム フェイゲンバウム ,  クリス エム.シュレイバー ,  ジピン ワン ,  タン ヨウ メン ,  クリスティーナ チュン マン ツイ
出願人/特許権者： デルフィ テクノロジーズ,インコーポレイティド
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-368613
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203238
出願日： 2000年12月04日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 集積回路などを可撓性回路に取り付けるための方法として、接触バンプの内部に生じる局部応力を緩和する一方、両者の相互電気接続を確保できるようにする方法を提供する。また、エポキシ下込め材の使用を容易にする一方、望ましくない第2の加熱プロセスの必要を無くす方法を提供する。【解決手段】 表面上に形成されている複数の接点パッド15を有する集積回路11を提供する行為と、表面区域と一体に形成されている複数の接点バンプ17を有する可撓性回路13を提供する行為と、可撓性回路13の前記接点バンプ17の少なくとも幾つかを集積回路の前記接点パッド15の少なくとも幾つかに融合させることによって、集積回路を可撓性回路に取り付ける行為とを含む、集積回路を可撓性回路に取り付ける方法。電気接続の信頼性を向上させるように、接点バンプは、接点パッドに対する接点バンプの取付けの後での接点バンプ内の局所的な応力の発生を軽減する形状を有する。

請求項（抜粋）：

接点バンプを形成する方法であって、約0.0254mmから約0.2032mmの高さを有するように導電材料を形成する段階と、約0.0254mmから約0.254mmの基部幅を有するように前記導電材料を形成する段階と、約40度から約80度の傾斜角度を有するように前記導電材料を形成する段階と、約0.0254mmから約0.726mmの先端半径を有するように前記導電材料を形成する段階と、を含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 D ,  H01L 21/92 603 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-329974   出願人：松下電子工業株式会社