特許
J-GLOBAL ID：200903028165270808
半導体集積回路装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-192394
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019312
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
【課題】 層間絶縁膜等の膜剥がれを防止し、かつボンディング性を向上させる。【解決手段】 半導体基板上に積層された層間絶縁膜内にそれぞれ形成された複数の配線と、前記複数の配線を上下方向に接続するビアと、前記複数の配線のうちの少なくとも1つの配線と接続され、外部との電気的接続のためのボンディングワイヤを接続するボンディングエリアを有するボンディングパッドと、前記ボンディングパッドの下部の前記層間絶縁膜内に形成され、前記ボンディングパッドとは電気的に接続されない複数の強化パターンと、複数の前記強化パターンのうち、上下に配置された前記強化パターン同士を接続する強化用ビアとを有し、前記強化パターンは、前記複数の配線と同一の部材から構成されており、かつ、前記ボンディングエリアの直下部分における前記部材のうち、その少なくとも一部に前記部材が存在しない部位を有していることを特徴とする半導体集積回路装置。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に積層された層間絶縁膜内にそれぞれ形成された複数の配線と、
前記複数の配線を上下方向に接続するビアと、
前記複数の配線のうちの少なくとも1つの配線と接続され、外部との電気的接続のためのボンディングワイヤを接続するボンディングエリアを有するボンディングパッドと、
前記ボンディングパッドの下部の前記層間絶縁膜内に形成され、前記ボンディングパッドとは電気的に接続されない複数の強化パターンと、
複数の前記強化パターンのうち、上下に配置された前記強化パターン同士を接続する強化用ビアとを有し、
前記強化パターンは、前記複数の配線と同一の部材から構成されており、かつ、前記ボンディングエリアの直下部分における前記部材のうち、その少なくとも一部に前記部材が存在しない部位を有していることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
FI (1件)：
Fターム (17件)：
5F033HH00
, 5F033JJ00
, 5F033JJ01
, 5F033KK11
, 5F033MM01
, 5F033MM02
, 5F033QQ09
, 5F033QQ11
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033RR01
, 5F033RR06
, 5F033SS11
, 5F033SS21
, 5F033UU05
, 5F033VV07
, 5F033XX14
