特許
J-GLOBAL ID:200903028171559704

シリコンウエハーの品質評価方法及び再生方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小谷 悦司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-402531
公開番号(公開出願番号):特開2002-026096
出願日: 2000年12月28日
公開日(公表日): 2002年01月25日
要約:
【要約】【課題】 シリコンウエハー内部の結晶欠陥を非破壊的に精度良く検出することのできるシリコンウエハーの品質評価方法を提供する。【解決手段】 赤外吸収スペクトルによりシリコンウエハーを分析し、下式(1)で示される吸光度の比に基づいてシリコン結晶の品質を評価することを特徴とするシリコンウエハーの品質評価方法である。【数1】式中、吸光度α1及び吸光度α2は、測定シリコンウエハーの吸光度を、ヘ ゙ースラインの吸光度BLは、測定シリコンウエハーの1030〜1170cm-1におけるベースラインの吸光度を夫々意味する。
請求項(抜粋):
赤外吸収スペクトルによりシリコンウエハーを分析し、下式(1)で示される吸光度の比に基づいてシリコン結晶の品質を評価することを特徴とするシリコンウエハーの品質評価方法。【数1】式中、吸光度α1及び吸光度α2は、測定シリコンウエハーの吸光度を、ヘ ゙ースラインの吸光度BLは、測定シリコンウエハーの1030〜1170cm-1におけるベースラインの吸光度を夫々意味する。
IPC (3件):
H01L 21/66 ,  G01N 21/00 ,  G01N 21/35
FI (3件):
H01L 21/66 N ,  G01N 21/00 B ,  G01N 21/35 Z
Fターム (14件):
2G059AA03 ,  2G059BB16 ,  2G059EE01 ,  2G059EE10 ,  2G059EE12 ,  2G059GG01 ,  2G059HH01 ,  2G059MM01 ,  2G059MM17 ,  4M106AA01 ,  4M106BA08 ,  4M106CA27 ,  4M106CB19 ,  4M106DJ38

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