特許

J-GLOBAL ID：200903028174134992

光電変換装置用基板

発明者： 瀬戸 康徳 ,  藤沢 章 ,  末吉 幸雄 ,  平田 昌宏 ,  大谷 強
出願人/特許権者： 日本板硝子株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-361809
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177127
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 特に結晶質シリコン系光電変換装置に適した光電変換装置用基板を提供する。【解決手段】 ガラス板の表面に少なくとも1層の下地膜1a,1bを形成し、さらに導電膜2を形成する。導電膜の表面の凹凸を、高さ3が50〜150nm、凸部間の間隔が50〜1000nmとする。また、導電膜の膜厚を400〜1000nm、シート抵抗値を10〜30Ω/□とする。

請求項（抜粋）：

ガラス板と、前記ガラス板上に形成された少なくとも1層の下地膜と、前記下地膜上に形成された少なくとも1層の導電膜とを含み、前記導電膜の表面に凹凸が形成された光電変換装置用基板であって、前記凹凸の高さが50nm以上150nm以下であり、前記凹凸を形成する凸部間の間隔が50nm以上1000nm以下であり、前記導電膜の膜厚が400nm以上1000nm以下であり、前記導電膜のシート抵抗値が10Ω/□以上30Ω/□以下であることを特徴とする光電変換装置用基板。

Fターム (6件)：

5F051FA02 ,  5F051FA17 ,  5F051FA18 ,  5F051FA19 ,  5F051FA24 ,  5F051GA03