半導体の積層構造の形成方法及びそれを用いた半導体装置の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-264610
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122550
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】加工マスク等のパターンで覆われた半導体基板や不純物を拡散した半導体基板等の表面を清浄化し、その上に積層構造を形成する方法を提供すること。【構成】高濃度n型Si層2、高濃度p型Si層3が形成されたp型Si基板1をフッ酸水溶液に浸し、水洗し、真空中で350〜550°C程度で加熱処理を行ない、さらにこの上に、高濃度p型GaAs層4、p型GaAs層5、n型GaAs層6等のGaAs積層構造を形成する。Siのpn構造を持つ光電変換素子の上に、GaAsのpn構造を持つ光電変換素子が形成できる。

請求項（抜粋）：

第1の半導体からなる基板をフッ酸水溶液に浸し、水洗し、真空中で加熱処理を行なう工程と、該基板上に第2の半導体を積層する工程を有することを特徴とする半導体の積層構造の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/308 , H01L 21/20 , H01L 31/10

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-338642
特開平2-258979
特開平3-187213

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