特許
J-GLOBAL ID：200903028191601480
アンプ付きイメージセンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-264301
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125807
出願日： 1994年10月28日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】自己バイアス式ゲート接地アンプを内蔵したMOSイメージセンサを提供する。【構成】増幅型MOSイメージセンサ部1と、自己バイアスゲート接地アンプ部20からなり、アンプ部20はドライブ用MOS-FET21、負荷用MOS-FET22、ドライブ用MOS-FET21のドレイン・ゲート間に接続したアンプセット用MOS-FET23、ゲート電圧保持用コンデンサ24およびソース抵抗25からなる。イメージセンサ部1からの共通信号ライン8がアンプ20のドライブ用MOS-FET21のソースに入力され、明信号のタイミングでアンプセット用MOS-FET23をONすることにより自動的にゲート電位を最適値にセットでき、暗信号のタイミングでアンプセット用MOS-FET23をOFFすることにより、高利得でダイナミックレンジの広いアンプ付きイメージセンサを実現することができる。
請求項（抜粋）：
画素をフォトダイオードと増幅用MOS電界効果トランジスタ(MOS-FET)、アクセス用MOS-FET、リセット用MOS-FETで構成し、リセット用MOS-FETを介しフォトダイオードの個別電極を一定の蓄積時間の間隔でリセット電源にスイッチし、アクセス用MOS-FETを介し走査パルスに従って順次、明信号と暗信号に比例した画像信号を共通信号ラインから出力するイメージセンサにおいて、ドライブ用MOS-FET、負荷用MOS-FET、ドライブ用MOS-FETのゲートに接続したゲート電圧保持用コンデンサ、ドライブ用MOS-FETのゲートとドレイン間に接続したアンプセット用MOS-FET、ドライブ用MOS-FETのソース抵抗およびドライブ用MOS-FETのドレインに接続したクランプ回路からなる自己バイアスゲート接地アンプ部を内蔵したことを特徴とするアンプ付きイメージセンサ。
IPC (2件)：
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