半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-248684
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090327
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】ボンディング・パッドとボンディング・ワイヤーが密着する面積を大きくする。【構成】シリコン基板1上のシリコン酸化膜2を介して、断面形状が凹状のボンディング・パッド4を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された複数のボンディング・パッドを有する半導体集積回路において、前記ボンディング・パッドは断面が凹状に形成されていることを特徴とする半導体集積回路。

引用特許：

審査官引用 (3件)

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