特許
J-GLOBAL ID：200903028194591630
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-050224
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251335
出願日： 1992年03月09日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】酸触媒反応を利用した化学増幅ポジ型レジスト膜を用い微細パターンを形成する。【構成】半導体基板1上にポジ型レジスト膜2を塗布し、ベークする。次にレジスト膜表面に表面保護用の水溶性高分子薄膜3を塗布しベークする。続いて、エキシマレーザー光5で露光後、加熱したのちアルカリ現像液等で現像する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に化学増幅ポジ型レジスト膜を形成したのちマスクを用いてこのポジ型レジスト膜を露光し現像する半導体装置の製造方法において、前記ポジ型レジスト膜の表面を薄膜でコーティングしたのち露光することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
