特許
J-GLOBAL ID：200903028194671862
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-169905
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022455
出願日： 1996年06月28日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】 薄くかつ高誘電率であるキャパシタ誘電膜を有し、容量の大きいキャパシタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置のキャパシタを下部電極と、この下部電極上に形成されたタンタル酸化膜と、下部電極と前記タンタル酸化膜との間に形成された窒化膜であって、前記下部電極をタンタル酸化膜を介して窒素原子を含む雰囲気下でアニールすることによって形成された窒化膜と、このタンタル酸化膜上に形成された上部電極とで構成する。
請求項（抜粋）：
下部電極と、前記下部電極上に形成されたタンタル酸化膜と、前記下部電極と前記タンタル酸化膜との間に形成された窒化膜であって、前記下部電極をタンタル酸化膜を介して窒素原子を含む雰囲気下でアニールすることによって形成された窒化膜と、前記タンタル酸化膜上に形成された上部電極とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
