特許
J-GLOBAL ID：200903028204698489
シリコンカーバイド層の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉 和人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-262957
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196424
出願日： 1993年09月27日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 高品質の化学量論的多結晶シリコンカーバイド膜をエミッタ層(大量にドープされたシリコンカーバイド層)として堆積させ、シリコン・ヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造する低温CVD法が提供される。【構成】 基板を三弗化窒素で前処理し、シリコンカーバイドを堆積するステップとフッ素種(たとえば、三弗化窒素)でシリコンカーバイド膜を洗浄するステップを交互に行い、シリコンカーバイドを堆積する。本発明は、酸素が反応ガス混合物から除外され、形成層を急速に熱アニーリングすることによって化学量論的多結晶シリコンカーバイド層を形成する。
請求項（抜粋）：
a)化学反応室中で集積回路基板の表面を反応フッ素種に露出することによって前処理および不活性化を行い;b)不活性ガスで化学反応室を清浄し;c)850 ゚C以下の堆積温度において、シリコン及び炭素、及び不活性ガス源を含む反応ガス混合物の熱分解によってシリコンカーバイド層を堆積し;d)不活性ガスで化学反応室を清浄し;e)堆積したシリコンカーバイド層を反応フッ素種に露出し、これによって、露出したシリコンカーバイド層の表面をフッ素で不活性化し;f)シリコンカーバイド層の所望の厚さが堆積されるまで、ステップ(b)から(e)をくり返ことにより;集積回路基板の表面にシリコンカーバイド層を形成することを特徴とするシリコンカーバイド層の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/331
, H01L 29/73
