特許

J-GLOBAL ID：200903028207173050

レジスト処理方法およびレジスト処理装置

発明者： 山本 裕之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 西教 圭一郎 ,  杉山 毅至 ,  廣瀬 峰太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-031560
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241726
出願日： 2003年02月07日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

【課題】レジスト被膜の形成されている基板とオゾン水とを接触させながら紫外線を照射する従来の方法では、酸化性ラジカルの生成量が少なく、レジスト除去能力が不充分であった。また、従来の方法はバッチ処理であり、液晶パネル用などの大型基板に対応できないと言う問題があった。【解決手段】低温加圧状態の高濃度オゾン水に紫外線を照射して活性化し、オゾン水中にレジスト被膜と反応するのに充分な量の酸化性ラジカルを発生させたのち、直ちにこのオゾン水を大気圧雰囲気に解放して、基板表面に噴射供給し、基板表面のレジスト被膜を除去する。この方法によれば、バッチ処理を行う必要はなく、平流し処理が可能なので、大型基板のレジスト被膜を均一に除去することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

表面にレジスト被膜が形成されている基板にオゾン水を供給して前記レジスト被膜を除去するレジスト処理方法において、 加圧され、冷却されかつ紫外線の照射により活性化されているオゾン水を、大気圧雰囲気中の前記基板に噴射供給することを特徴とするレジスト処理方法。

IPC (2件)：

H01L21/027 ,  H01L21/304

FI (6件)：

H01L21/30 572A ,  H01L21/304 643B ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 648A ,  H01L21/304 648Z ,  H01L21/30 572B

Fターム (3件)：

5F046MA02 ,  5F046MA05 ,  5F046MA13