特許
J-GLOBAL ID：200903028208186571

半導体発光素子

発明者：
門田 道雄

門田 道雄 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-196073
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031536
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 ZnOバッファ層の上方の化合物半導体層の組成を変化させることなくZnOバッファ層を低抵抗化する。【解決手段】 絶縁性のサファイア基板22の上に低抵抗のZnOバッファ層23を成長させ、その上にn型GaN層24、n型AlGaN層25、InGaN層(発光層)26、p型AlGaN層27、p型GaN層28をエピタキシャル成長させる。ZnOバッファ層23の上面には下部電極29を、p型GaN層28の上面には上部電極30を設ける。ZnOバッファ層23には上層の各化合物半導体層に含まれない(Ga、Al、In以外の)不純物元素をドープすることにより比抵抗を10Ω・cm以下にする。この不純物としては、III族では、B、Sc、Y、La、Ac、Tlなどをドープでき、V族ではV、Nb、Ta、P、As、Sb、Biなどをドープすることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板の上に低抵抗のZnOバッファ層を形成し、このZnOバッファ層の上にInxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表わされる化合物半導体層を形成し、前記ZnOバッファ層の一部表面を露出させると共にその露出部分に下部電極を形成した半導体発光素子において、前記ZnOバッファ層は、その上方の化合物半導体層の組成元素を含まないことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/30
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Fターム (9件)：
5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA99 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19
引用特許：
審査官引用 (17件)
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