特許

J-GLOBAL ID：200903028208634213

炭化ケイ素単結晶の製造方法

発明者： 谷口 斉一 ,  前田 泰宏
出願人/特許権者： 日新製鋼株式会社
代理人 (1件)： 小橋 信淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-217274
公開番号（公開出願番号）：特開平6-048899
出願日： 1992年07月23日
公開日（公表日）： 1994年02月22日
要約：

【要約】【目的】 単結晶成長からエピタキシャル層成長までの工程を簡略化し、安価で高品質の炭化ケイ素エピタキシャル成長結晶を得る。【構成】 炭化ケイ素原料粉末4から発生した昇華ガスaを種結晶2の上に単結晶bとして成長させる。所定の単結晶bが成長した時点で、反応炉5内の昇華雰囲気圧力Pと昇華温度Tとの比P/Tを0.03〜0.05トール/°Cの範囲に維持し、単結晶bの上にエピタキシャル層cを成長させる。エピタキシャル成長時、必要に応じてn型又はp型特性をエピタキシャル層cに付与するため、ドーピングガスがガス供給管8又は9から反応炉5内に導入される。【効果】 健全な単結晶bの表面上にエピタキシャル層cが成長するため、優れた品質のエピタキシャル成長結晶が得られる。また、高価な半導体ガス等を使用する必要がないので、製造コストが大幅に低減する。

請求項（抜粋）：

種結晶に対向させて炭化ケイ素原料粉末を収容したルツボを圧力調整された不活性ガス雰囲気内に配置し、温度勾配を付けた加熱により前記炭化ケイ素原料粉末から昇華した蒸気を前記種結晶の上に単結晶として成長させ、昇華雰囲気圧力Pと昇華温度Tとの比P/Tを0.03〜0.05トール/°Cに維持した条件下で前記単結晶の上にエピタキシャル層を成長させることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/02