特許

J-GLOBAL ID：200903028208969622

アルミニウム接点の製造法

発明者： マーク エー ジェイソー ,  ヘルベルト パルム ,  ハンス ヴェルナー ペッツルベルガー
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト ,  インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレーション
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-340051
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178096
出願日： 1997年12月10日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】 アルミニウム接点の製造法。【解決手段】 本発明によるアルミニウム接点は、a)二酸化珪素層を設け;b)二酸化珪素層中にバイアを形成させ;c)二酸化珪素の上にフォトレジスト層を付着させ、かつバイアの上に、バイアよりも大きな開口部を形成させるために層をパターン化し;d)二酸化珪素層を部分的にエッチングし、かつフォトレジスト層を除去し;e)金属停止層を付着させ;f)バイアおよび開口部を充填するようにアルミニウムの層を付着させ;g)下向きに金属停止層に向かってアルミニウム層を化学的機械的に研磨し;h)前記金属停止層を除去することにより製造される。【効果】 アルミニウム相互接続のエレクトロマイグレーションが改善された。

請求項（抜粋）：

アルミニウム接点を形成させるための方法において、a)二酸化珪素層を設け;b)二酸化珪素層中にバイアを形成させ;c)二酸化珪素の上にフォトレジスト層を付着させ、かつバイアの上に、バイアよりも大きな開口部を形成させるために層をパターン化し;d)二酸化珪素層を部分的にエッチングし、かつフォトレジスト層を除去し;e)金属停止層を付着させ;f)バイアおよび開口部を充填するようにアルミニウムの層を付着させ;g)下向きに金属停止層に向かってアルミニウム層を化学的機械的に研磨し;h)前記金属停止層を除去することを特徴とする、アルミニウム接点の形成法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/88 N