特許
J-GLOBAL ID：200903028209159012
パタ-ン化層形成法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-089324
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275513
出願日： 1993年03月24日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 酸発生剤を含有する化学増幅レジスト層を用いて、それによるパタ-ン化層を形成する工程において、化学増幅レジスト層が空気中に放置されても、化学増幅レジスト層を劣化させないようにする。【構成】 酸発生剤を含有する化学増幅レジスト層を用いて、それによるパタ-ン化層を形成する工程において、化学増幅レジスト層を酸溶液中に浸漬させる。
請求項（抜粋）：
基板上に、酸発生剤を含有する化学増幅レジスト層を塗布形成する工程と、上記基板上に塗布形成された化学増幅レジスト層に対し第1の熱処理を施すことによって、上記基板上に塗布形成された化学増幅レジスト層から、上記第1の熱処理の施された化学増幅レジスト層を得る工程と、上記第1の熱処理の施された化学増幅レジスト層に対し所望の露光パタ-ンでの露光処理を施すことによって、上記第1の熱処理の施された化学増幅レジスト層から、上記露光パタ-ンに露光された化学増幅レジスト層を得る工程と、上記露光パタ-ンに露光された化学増幅レジスト層に対し第2の熱処理を施すことによって、上記所望の露光パタ-ンに露光された化学増幅レジスト層から、上記第2の熱処理の施された化学増幅レジスト層を得る工程と、上記第2の熱処理の施された化学増幅レジスト層に対する現像処理によって、上記熱処理の施された化学増幅レジスト層から、上記露光パタ-ンに対応したパタ-ンを有するパタ-ン化層を形成する工程とを有するパタ-ン化層形成法において、上記基板上に上記化学増幅レジスト層を塗布形成する工程後上記基板上に塗布形成された化学増幅レジスト層から第1の熱処理の施された化学増幅レジスト層を得る工程に移るまでの間、または上記化学増幅レジスト層から上記第1の熱処理の施された化学増幅レジスト層を得る工程後上記第1の熱処理の施された化学増幅レジスト層から上記露光処理を施された化学増幅レジスト層を得る工程に移るまでの間、もしくは上記第1の熱処理の施された化学増幅レジスト層から上記露光処理の施された化学増幅レジスト層を得る工程後上記露光処理施された化学増幅レジスト層から上記第2の熱処理の施された化学増幅レジスト層を得る工程に移るまでの間において、上記化学増幅レジスト層を、酸溶液に浸漬させることを特徴とするパタ-ン化層形成法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 361 G
, H01L 21/30 361 K
