特許
J-GLOBAL ID：200903028211990373
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-367933
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185658
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：
【要約】【課題】 封止樹脂にクラックや大きなボイドが発生して半導体素子の気密封止が不完全なものとなったり、半導体素子が作動時に発生する熱を外部に良好に伝達することができず、正常かつ安定に作動させることができない。【解決手段】 上面に半導体素子搭載部1aおよびこの周辺から外周部にかけて導出する複数の配線導体4を有する略四角平板状の絶縁基体1と、半導体素子3と、一端部が配線導体4の外周部に導出した部位に接合され、他端部が絶縁基体1の側面から突出した複数の外部リード端子2と、これらを封止する封止樹脂6とから成る半導体装置であって、絶縁基体1の側面と下面との間に面取り部1bが形成されている半導体装置である。絶縁基体1の側面と下面との間の角部と封止樹脂6の側面との間の厚みを厚くでき、封止樹脂6において絶縁基体1の側面と下面との間の角部に接する部位に集中する応力を分散緩和できる。
請求項（抜粋）：
上面に半導体素子搭載部および該半導体素子搭載部周辺から外周部にかけて導出する複数の配線導体を有する略四角平板状の絶縁基体と、前記半導体素子搭載部に搭載された半導体素子と、一端部が前記配線導体の前記外周部に導出した部位に接合され、他端部が前記絶縁基体の側面から突出した複数の外部リード端子と、前記絶縁基体および前記半導体素子ならびに前記外部リード端子の一端部およびその近傍を封止する封止樹脂とから成る半導体装置であって、前記絶縁基体の側面と下面との間に面取り部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/28 J
, H01L 21/56 T
4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109CA21
, 4M109DA03
, 4M109DA08
, 4M109DB16
, 5F061AA01
, 5F061BA03
, 5F061CA21
, 5F061DD12
