特許
J-GLOBAL ID：200903028212280108
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小林 茂
, 和泉 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-226255
公開番号（公開出願番号）：特開2006-074024
出願日： 2005年08月04日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】微細化に適したゲート構造と生産性の高いその製造方法を提供する【解決手段】ゲート窓6を開口したフィールド絶縁膜3が表面に形成された炭化珪素基板1と、多結晶シリコンからなるゲート電極7との間に、ゲート窓6の底を覆うように設けられた酸化シリコン膜10と窒化シリコン膜11と窒化シリコン熱酸化膜12の三層構造からなるゲート絶縁膜9が挟持され、ゲート電極7と窒化シリコン膜11の側壁にはそれぞれ、多結晶シリコン熱酸化膜8と窒化シリコン側面熱酸化膜13とが設けられ、窒化シリコン膜11の外縁端がゲート電極7の外縁端より外側に位置するように窒化シリコン膜11とゲート電極7とが設けられている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素基板と、多結晶シリコンからなるゲート電極との間に、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜と窒化シリコン熱酸化膜の三層構造からなるゲート絶縁膜が挟持され、
前記ゲート電極と前記窒化シリコン膜の少なくとも側壁にそれぞれ、多結晶シリコン熱酸化膜と窒化シリコン側面熱酸化膜とが設けられていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 29/739
, H01L 21/336
H01L29/78 652K
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 655A
, H01L29/78 658D
, H01L29/78 658F
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 658Z
