特許

J-GLOBAL ID：200903028213226468

半導体装置の製造方法

発明者： 吉江 敬三郎
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-030283
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226281
出願日： 1992年02月18日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 コンタクトホール内への導電材料の埋込みを含む配線形成方法に関し、コンタクトホール下部の導電性基体に及ぼすダメージを防止することを目的とする。【構成】 絶縁膜3に導電性基体1を表出するコンタクトホール4を形成し、コンタクトホール4の内面及び該絶縁膜3の上面に、埋込み層となる第2の導電材料とエッチングの選択性を有する第1の導電材料層5を被着し、該コンタクトホール4及び該絶縁膜3上に第2の導電材料層6をほぼ平坦に気相成長し、この層6を絶縁膜3上の第1の導電材料層5までエッチバックしてコンタクトホール4内に第2の導電材料による埋込み導電層6Pを残留形成させ、該コンタクトホール4及び該絶縁膜3上の第1の導電材料層5上に延在する配線材料層8を形成し、該配線材料層8と第1の導電材料層5を該コンタクトホール4部を含む配線パターン形状に一括パターニングする工程を有するように構成する。

請求項（抜粋）：

下層の導電性基体から導電材料が埋込まれたコンタクトホールを介し該導電性基体を覆う絶縁膜上に配線を導出するに際して、該導電性基体を覆う絶縁膜に該導電性基体を表出するコンタクトホールを形成する工程、該コンタクトホールの内面及び該絶縁膜の上面に、該コンタクトホール内に埋め込もうとする第2の導電材料とエッチングの選択性を有する第1の導電材料層を被着する工程、該第1の導電材料層が被着された該コンタクトホール及び該絶縁膜上に上面がほぼ平坦になる厚さに該第2の導電材料層を気相成長する工程、該第2の導電材料層を該絶縁膜上の第1の導電層が表出するまでエッチバックし、該コンタクトホール内に該第2の導電材料による埋込み導電層を残留形成せしめる工程、該埋込み導電層を有するコンタクトホール上及び該絶縁膜を覆う該第1の導電材料層上に延在する配線材料層を形成する工程、該配線材料層と第1の導電材料層を該コンタクトホール部を含む配線パターン形状に一括パターニングする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平1-130529
  
• 特開昭63-205951
  
• 特開平4-005829
  
• 特開平3-274291
  
• 特開平4-152550