特許

J-GLOBAL ID：200903028224057005

セラミック基板の製造方法および半導体装置の製造方法

発明者： 森田 敏文 ,  瀬川 茂俊
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-259418
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075918
出願日： 2000年08月29日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 セラミック板を分割する際に表面に生じる大きな欠けを抑制する。また、この欠けによるセラミック基板表面の回路不良を抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】 セラミック板を複数のセラミック基板へと分割する際に、第1のダイシング用ブレードを用いてセラミック板の第1の面に複数の溝を形成し、このブレードより幅が小さい第2のダイシング用ブレードを用いて反対側の第2の面から上記溝に沿って切削してセラミック板を分割することにより、特に第2の面において発生しやすい大きな欠けを抑制する。セラミック板の表面に、予め導体パターンを形成し、さらに半導体素子を実装して回路を構成してから分割しても、大きな欠けが発生しにくいため、回路不良を抑制できる。

請求項（抜粋）：

セラミック板を複数のセラミック基板へと分割する際に、第1のダイシング用ブレードを用いて前記セラミック板の第1の面に複数の溝を形成し、前記第1のダイシング用ブレードより幅が小さい第2のダイシング用ブレードを用いて前記第1の面と反対側の第2の面から前記溝に沿って切削して前記セラミック板を分割することを特徴とするセラミック基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/301 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/00

FI (5件)：

H05K 3/00 J ,  H05K 3/00 X ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 F ,  H01L 23/12 D