特許
J-GLOBAL ID：200903028229203549
マイクロマシンの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-258291
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112509
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 多結晶シリコン薄膜を利用して製造されるマイクロマシン例えばマイクロ圧力センサを従来より低温プロセスで製造すること。【構成】 マイクロ圧力ゲージの空洞部形成のために使用する犠牲層用の多結晶シリコン薄膜43と、歪みゲージ用の多結晶シリコン薄膜47とを、ガラス基板41を300°Cの温度に加熱した状態で、SiF4 の流量を400SCCM、SiH4 の流量を10SCCM、H2 の流量を500SCCM、RFパワー密度を0.1W/cm2 、成膜時での反応室の上記原料ガスによる全圧を300Pa(約2.25Torr)とした条件のプラズマCVD法により形成する。
請求項（抜粋）：
マイクロマーシニング技術により製造されその製造において多結晶シリコン薄膜が使用されるマイクロマシンを製造するに当たり、多結晶シリコン薄膜を、該薄膜が形成される下地の温度を最高でも350°CとしたプラズマCVD法により、形成することを特徴とするマイクロマシンの製造方法。
IPC (2件)：
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