特許
J-GLOBAL ID：200903028231454451
化合物半導体集積回路装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-338059
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186240
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】【目的】 フォトダイオード(PD)とトランジスタとを共通の基板に形成する光電子集積回路のPDの光吸収層の厚みを小さくしてトランジスタ及びPDの動作性能の向上を図る。【構成】 ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)11のサブコレクタ層102、コレクタ層103、ベース層104と、p-i-n型PD112のn層102、光吸収層103、p層104とを夫々共通の層として形成する。p-i-n型PDを端面入射型PDとして構成すると、高速性能を低下させることなく光吸収層103の厚みを小さくすることが出来る。このように、端面入射型PDの光吸収層とトランジスタの機能層の一部とを共通の半導体層で形成することにより、トランジスタの性能が高く維持できる。PDと電界効果トランジスタ(FET)との組合も可能であり、p-i-n型PDとMESFET又はHEMT、及び、金属-半導体-金属(MSM)型PDとHEMTの各組合せが挙げられる。
請求項（抜粋）：
フォトダイオード及びトランジスタを共通の半絶縁性基板上に形成した化合物半導体集積回路装置において、前記フォトダイオードの少なくとも光吸収層と前記トランジスタの少なくとも一部の機能層とが共通の化合物半導体層から形成され、前記フォトダイオードが、前記光吸収層の端面から光を受ける端面入射型フォトダイオードとして構成されることを特徴とする化合物半導体集積回路装置。
FI (2件)：
H01L 27/14 J
, H01L 27/14 Z
