特許
J-GLOBAL ID：200903028237486630
ハロゲン化物結晶のアニール処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 関根 宣夫
, 西山 雅也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-508857
公開番号（公開出願番号）：特表2006-519159
出願日： 2004年02月25日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：
本発明は、アニール処理炉中の酸素及び水の濃度を下げ、それによって結晶の欠陥をなくさない場合であっても著しく低減させる気体除去方法を提供する。この方法では、アニール処理工程の始めに、アニール処理炉の気密容器を1回だけでなく複数回にわたって排気し、不活性ガスで満たす。アニール処理においては、フッ化剤を伴う又は伴わない不活性ガスを、そのガス流中の酸素及び水の濃度をそれぞれ5ppm未満、より好ましくは1ppm未満に保ちながら、加熱及び冷却工程の間に、容器を通して流す。
請求項（抜粋）：
(a)アニール処理炉の気密容器中に、結晶を入れること、
(b)その後、前記容器を排気すること、
(c)その後、前記容器を不活性ガスで満たすこと、
(d)少なくとも更に1回、工程(b)及び(c)を繰り返すこと、
(e)前記結晶を、前記結晶の融点よりも低いアニール処理温度まで加熱すること、及び
(f)その後、前記結晶の温度を徐々に下げること、
を含む、結晶のアニール処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
4G077AA02
, 4G077AB04
, 4G077BE01
, 4G077BE02
, 4G077FE02
, 4G077FE12
, 4G077HA01
