特許
J-GLOBAL ID：200903028237939678
基板処理方法および処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
米澤 明 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-316638
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152203
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 オゾンによるウエハなどの基板上の有機物、付着物等を除去する速度を高める。【構成】 処理室1の基板載置台3に処理すべき基板2を収容して基板載置台3を、回転軸4を結合した回転台5に取り付け、処理室内へオゾン供給ノズル7からオゾン含有気体を供給し、処理室内をオゾン含有気体で満たすとともに、基板載置台を回転させながら超純水を超純水供給ノズル9から供給し、基板の被処理面上に超純水の薄膜を形成しながら処理を行い、被処理物の除去の後には、超純水のみを供給して基板をリンスし、次いで超純水の供給を停止して回転を続けて基板の脱水と乾燥を行う。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ等の基板処理方法において、オゾン含有気体の雰囲気で基板を回転しながら基板表面の被処理物に処理液を噴霧して被処理物を除去することを特徴とする基板処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, H01L 21/304 341
, H01L 21/304 351
