特許
J-GLOBAL ID：200903028249952157
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-160632
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005867
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 耐圧特性を低下させることなく、小型、低消費電力のパワーMOSトランジスタを提供する。【構成】 パワーMOSトランジスタ100の半導体基板には、複数のウェル拡散層101が形成され、該ウェル拡散層101内にソース領域104が形成され、前記ウェル拡散層101以外の半導体基板がドレイン基板層103として形成され、前記複数のウェル拡散層101に挟まれたドレイン基板層103上部に基板より高濃度に不純物を導入して高濃度不純物導入部120が形成されている。高濃度不純物導入部120は、深度が深くなるにつれて水平方向の断面積が大きくされ、その深度が浅くなるにつれて濃度が高くように不純物が導入されてなる。前記高濃度不純物導入部120の濃度プロフィールは2段階に形成され、これを形成するに当たって、打込み深度が異なる2回のインプラが行われる。
請求項（抜粋）：
第1の導電形の半導体基板に所定間隔を隔てて少なくとも2以上形成された第2の導電形のウェル拡散層と、該ウェル拡散層内に形成された第1の導電形のソース領域とを具え、前記ウェル拡散層以外の半導体基板部分がドレイン領域として形成され、前記少なくとも2以上のウェル拡散層に挟まれた半導体基板部分は、第1の導電形でそれよりも高濃度に不純物が導入されてなると共に、その深度が深くなるにつれて水平方向の断面積が大きくなるように形成された縦型パワーMOSトランジスタにおいて、ウェル拡散層に挟まれた前記半導体基板部分にはその深度が浅くなるにつれて濃度が高くように不純物が導入されてなることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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