特許
J-GLOBAL ID：200903028252209252
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-167219
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013408
出願日： 1991年07月08日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】GaAs基板表面の化学量論的組成を保ったままアニールを行える保護膜構造を提供する。【構成】GaAs基板1上にSiN膜5を形成し、その上にSiO2 膜を形成し、その後アニールをする。【効果】アニールの際、GaAs基板1中のAs2はSiO2 膜4がバリアとなり、Ga3にはSiN膜5がバリアとなって、GaAs基板1の化学量論的組成が保たれる。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上にSiN膜を形成する工程と、前記SiN膜上にSiO2 膜を形成する工程と、その後前記GaAs基板を熱処理する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/318
, H01L 21/316
