特許
J-GLOBAL ID：200903028259634315
堆積膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-153244
公開番号（公開出願番号）：特開2001-335942
出願日： 2000年05月24日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：
【要約】【課題】 膜質の部分的な変動や膜欠陥の発生を抑制し、より均一性に優り、良質な堆積膜を安定し、かつ高い再現性で生産することを可能とする堆積膜形成方法の提供。【解決手段】 減圧下、反応容器内において基体上に堆積膜形成する際、基体加熱用ガスおよび高周波電力を導入して、プラズマを生起させ、基体を加熱する基体予熱工程を設け、次のガス入れ替え工程において、継続して高周波電力を導入したまま、プラズマによる基体加熱を行いつつ、基体加熱用ガス流量を漸減するとともに、堆積膜形成用原料ガス流量を漸増させて、基体加熱用ガスと堆積膜形成用原料ガスの入れ替えを行った後、引き続き堆積膜形成の操作を行うことを特徴とする堆積膜形成方法。
請求項（抜粋）：
減圧可能な反応容器中において、前記反応容器中に基体を設置し、堆積膜形成用原料ガス分解に利用する高周波電力を高周波電力導入手段より導入しつつ、堆積膜形成用原料ガスを供給して、前記基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法であって、前記基体上に堆積膜を形成するに先立ち、前記反応容器内に基体加熱用ガス、および高周波電力を導入して、前記反応容器内にプラズマを生起させ、生起したプラズマにより前記基体を加熱し、前記基体温度を所定の温度とする基体予熱工程を設け、前記の基体予熱工程に引き続き、前記の反応容器内に生起されているプラズマを維持すべく、継続して高周波電力を導入したまま、前記基体加熱用ガス流量を漸減するとともに、堆積膜形成用原料ガス流量を漸増させて、基体加熱用ガスと堆積膜形成用原料ガスの入れ替えを行い、また、プラズマによる前記基体の加熱を継続するガス入れ替え工程を設け、前記ガス入れ替え工程の終了時において、堆積膜形成用原料ガス流量を所定量に達するようにして、高周波電力の導入を中断することなく、引き続き前記基体上に堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法である。
IPC (3件)：
C23C 16/505
, C23C 16/455
, G03G 5/082
C23C 16/505
, C23C 16/455
, G03G 5/082
2H068DA23
, 2H068EA02
, 2H068EA24
, 2H068EA30
, 2H068EA32
, 2H068EA35
, 2H068EA36
, 4K030AA06
, 4K030AA17
, 4K030AA20
, 4K030BA30
, 4K030BB12
, 4K030CA02
, 4K030CA16
, 4K030DA06
, 4K030EA03
, 4K030FA01
, 4K030FA14
, 4K030JA10
, 4K030JA11
, 4K030JA18
, 4K030KA05
, 4K030KA22
, 4K030KA23
, 4K030LA17
