半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西野卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-264951
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122737
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】LDD構造のMOS型トランジスタにおける、サイドウオールの改善に関する。【構成】半導体基板(11)上にソース/ドレイン領域層(12)が形成され、該ソース/ドレイン領域層(12)間のゲート絶縁膜(13)上にゲート電極(14)が形成され、該ゲート電極(14)の側壁に第1のシリコン酸化膜(15)が形成され、第1のシリコン酸化膜(15)の側面にシリコン窒化膜(16)が形成され、該シリコン窒化膜(16)の側面に第2のシリコン酸化膜(17)が形成されて前記第1のシリコン酸化膜(15),シリコン窒化膜(16)及び第2のシリコン酸化膜(17)によりサイドウオール(18)が構成されてなること。

請求項（抜粋）：

半導体基板(11)上にソース/ドレイン領域層(12)が形成され、該ソース/ドレイン領域層(12)間のゲート絶縁膜(13)上にゲート電極(14)が形成され、該ゲート電極(14)の側壁に第1のシリコン酸化膜(15)が形成され、第1のシリコン酸化膜(15)の側面にシリコン窒化膜(16)が形成され、該シリコン窒化膜(16)の側面に第2のシリコン酸化膜(17)が形成されて前記第1のシリコン酸化膜(15),シリコン窒化膜(16)及び第2のシリコン酸化膜(17)によりサイドウオール(18)が構成されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

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