特許

J-GLOBAL ID：200903028293300000

パーティクル検出方法およびその装置

発明者： 森田 悦郎 ,  吉見 年弘
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-100332
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284038
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】 ウェーハ表面の異物、COPが分離・検出可能で、異物の高さも計測して、薄い異物を認識するパーティクル検出方法およびその装置を提供する。【解決手段】 シリコンウェーハW表面にレーザ光を斜め照射し、その散乱光を照射方向に対して前方、後方、上方の3方向から受光することで、COPからの微弱な散乱光であっても、十分に異物とCOPを分離・検出できる。しかも、各異物からの光の散乱に関して、傾斜照射方向に対して側方から受光の散乱光の強度を計測することで、この異物の高さを計測することができる。この結果、シリコンウェーハW表面に存在する異物、COPを分離して検出できるとともに、この異物の高さも計測することができ、よって薄い異物の認識が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの表面に傾斜方向からレーザ光を照射し、その散乱光を検出することにより、半導体ウェーハ表面の異物、COPを含むパーティクルを検出するパーティクル検出方法において、レーザ光の散乱光を、照射方向に対して前方、後方、上方の3方向から受光することで、異物とCOPとを分離して検出する工程と、レーザ光の散乱光を照射方向に対して側方から受光することで、その異物の高さを計測する工程とを備えたパーティクル検出方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01B 11/30 ,  G01N 21/88

FI (3件)：

H01L 21/66 J ,  G01B 11/30 D ,  G01N 21/88 E