特許
J-GLOBAL ID：200903028300464715
化学蒸着装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-033969
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219918
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 処理基板に対してシールド板を配置し両者の隙間から不活性ガスを導入して原料ガスを基板裏面等への侵入を制御した化学蒸着装置において、不活性ガスの拡散する領域を従来よりも狭い範囲に限定し、歩留まりを向上させる必要領域を確保する。【解決手段】 内部が減圧状態に保持された基板処理室10と、基板処理室内で基板11を支持する基板支持機構12と、基板処理室に原料ガスを導入するガス導入機構13と、基板の周縁部で原料ガスが反応するのを防ぐシールド板51を備え、シールド板と基板の間に隙間31が形成され、隙間に原料ガスと反応しない不活性ガスが周縁部から基板中央部へ流れるように構成される。さらにシールド板51には複数の孔52が設けられ、これらの複数の孔によって、不活性ガスの流れの一部が基板中央部から遠ざかって流れる。
請求項（抜粋）：
内部が減圧状態に保持された基板処理室と、前記基板処理室内で処理基板を支持する基板支持機構と、前記基板処理室に処理ガスを導入するガス導入機構と、前記処理基板の周縁部で前記処理ガスが反応するのを防ぐシールド板を備え、前記シールド板と前記処理基板の間に隙間が形成され、前記隙間に前記処理ガスと反応しない不活性ガスが前記周縁部から基板中央部へ流れるように構成された化学蒸着装置において、前記シールド板に複数の孔を設け、これらの複数の孔によって、前記不活性ガスの流れの一部が前記基板中央部から遠ざかって流れるようにしたことを特徴とする化学蒸着装置。
IPC (3件)：
H01L 21/285
, C23C 16/44
, H01L 21/205
H01L 21/285 C
, C23C 16/44 D
, H01L 21/205
