特許
J-GLOBAL ID：200903028300789274
MBE装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-048592
公開番号（公開出願番号）：特開平7-257994
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月09日
要約：
【要約】【目的】 ソースの供給/遮断によるフラックスの変動を抑えて、任意の組成で急峻な界面をもつ複数層の薄膜構造を結晶成長するMBE装置を提供する。【構成】 複数あるソースセル13はそのソースの流出を遮る第一のシャッター15を持ち、また第一シャッター15から十分離れた位置に分子流の基板への成分を遮断する第二シャッター16を設ける。さらに、各ソースセル13を十分な容積を持つように囲むように、成長室壁全体を覆う液体窒素充填シュラウド18から延びるクライオパネル110が設置されている。この構成により、各ソースセル13間の汚染を抑え、また、基板12への照射時とほぼ同じ平衡状態をクライオパネル110と第二のシャッター16間で囲まれた空間で形成し、複数層の薄膜構造を高精度に結晶成長させることができる。
請求項（抜粋）：
ホルダーに設置された基板に結晶成長させる材料を所望の温度にて保持する複数個のソースセルと、前記基板に照射される材料を全て遮断するメインシャッターと、各々の前記ソースセルに対して設置され前記ソースセル中に蓄えられた材料の前記ソースセル外部への流出を遮断する第一のシャッターと、前記メインシャターと前記第一のシャッター間に各々の前記ソースセルに対して設置され前記第一のシャッター開放時に前記ソースセル中から流出し前記基板照射される材料のうちの前記基板方向への成分を遮断する第二のシャッターと、前記複数個のソースセルを相互に隔離するソースセル隔離手段とを有するMBE装置。
IPC (4件)：
C30B 23/08
, C23C 14/04
, C23C 14/54
, H01L 21/203
