特許
J-GLOBAL ID：200903028304542273
配線の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-054850
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240467
出願日： 1994年03月01日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 コンタクト孔に対する重なり余裕を配線のパターンに設ける必要をなくして、信頼性及び集積度の双方が高い配線を形成する。【構成】 金属膜44及び密着層43、16を金属配線15のパターンにジャストエッチングした後、絶縁膜46の側壁を金属膜44及び絶縁膜45に形成し、絶縁膜45、46をマスクにして金属膜44及び密着層43、16をオーバエッチングする。このため、ビアホール13に対する重なり余裕を金属配線15のパターンに設けず且つ金属配線15がビアホール13に対して位置ずれしても、ビアホール13内の密着層16やタングステンプラグ14がエッチングされない。
請求項（抜粋）：
絶縁膜に設けられているコンタクト孔を埋める配線層を前記絶縁膜上に形成する工程と、前記配線層に対してエッチング選択性を有する第1の膜を前記配線層上に形成する工程と、前記絶縁膜が露出するまで、前記第1の膜及び前記配線層を配線のパターンにエッチングする工程と、前記配線層に対してエッチング選択性を有する第2の膜から成る側壁を前記配線層及び前記第1の膜に形成する工程と、前記第1及び第2の膜をマスクにして前記配線層をオーバエッチングする工程とを有することを特徴とする配線の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3205
H01L 21/90 A
, H01L 21/88 B
