特許

J-GLOBAL ID：200903028309239722

半導体装置

発明者： 市川 清治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007987
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198630
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】 ウェハ状態での電気的特性試験の歩留を向上させることができる半導体装置を提供する。【構成】 半導体チップ11の複数個のパッド12の1つが付加パターン13に置き換えられている。そして、ウェハ状態での電気的特性試験において不良品と判定されたときは、付加パターン13の中心部がウェハプローバに取り付けたレーザーマーカーにより溶断される。なお良品には、マーキングされない。これにより、電気的特性試験の判定結果が、半導体チップ11に付加パターン13の溶断部14として記録される。

請求項（抜粋）：

半導体基板に良品又は不良品の判定結果の表示用の光学的に溶断可能な付加パターンを設けたことを特徴とする半導体装置。