半導体素子実装用配線基板

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-197263
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016170
出願日： 2000年06月29日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】フリップチップタイプの半導体素子を実装する配線基板における簡易で小型化な構造で放熱性を高めた配線基板を提供する。【解決手段】表面および内部に配線回路層6が形成されてなるセラミック絶縁基板1の一表面に半導体素子2をフリップチップ実装するための実装部Aが設けられてなる半導体素子実装用配線基板において、絶縁基板1における半導体素子実装部A直下の絶縁層を他の絶縁層よりも高熱伝導性を有する高熱伝導性絶縁層9によって形成するとともに、絶縁基板1を垂直方向に貫通するように垂直熱伝導体10を形成し、高熱伝導性絶縁層9と垂直熱伝導体10とを半導体素子実装部A以外の領域で接続してなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

表面および内部に配線回路層が形成されてなるセラミック絶縁基板の一表面に半導体素子をフリップチップ実装するための実装部が設けられてなる半導体素子実装用配線基板において、前記絶縁基板における前記半導体素子実装部直下の絶縁層を他の絶縁層よりも高熱伝導性を有する高熱伝導性絶縁層によって形成するとともに、前記絶縁基板を垂直方向に貫通するように垂直熱伝導体を形成し、該高熱伝導性絶縁層と前記垂直熱伝導体とを前記半導体素子実装部以外の領域で接続してなることを特徴とする半導体素子実装用配線基板。

IPC (4件)：

H01L 23/12 , H01L 23/14 , H01L 23/15 , H05K 1/02

FI (4件)：

H05K 1/02 F , H01L 23/12 J , H01L 23/14 R , H01L 23/14 C

Fターム (8件)：

5E338AA02 , 5E338AA03 , 5E338AA18 , 5E338BB05 , 5E338BB12 , 5E338BB63 , 5E338CC01 , 5E338EE02

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