特許
J-GLOBAL ID：200903028316098263
スパッタリングターゲット材
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 大輔
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999003194
公開番号（公開出願番号）：WO1999-066099
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 1999年12月23日
要約：
【要約】本発明は、貴金属からなるスパッタリングターゲットであって、スパッタリング面に対して法線方向に成長した柱状の結晶組織を有することを特徴とするスパッタリングターゲットをもって課題を解決する。溶解鋳造法又は粉末冶金法で得られたスパッタリングターゲットで発生する微細なクラスター状の塊の欠落という問題の発生することなく、良好な薄膜特性を得ることができると共に、内部欠陥が極めて少ない高純度のスパッタリング用貴金属ターゲットである。
請求項（抜粋）：
貴金属からなるスパッタリングターゲット材であって、スパッタリング面に対して法線方向に成長した柱状晶を含む結晶組織からなるスパッタリングターゲット材。
IPC (2件)：
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