特許

J-GLOBAL ID：200903028316931933

固体撮像装置の製造方法

発明者： 岡田 裕幸 ,  立川 景士
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-127191
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326916
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 残像不良や耐圧不良がなく高ダイナミックレンジのCCD撮像素子のフォトダイオードを得る。【構成】 n型基板1にp型ウエル2を形成する。p型ウエル2内部に電荷転送素子のp型分離領域4、電荷転送チャネル5、領域6、7を形成する。基板1上にゲート絶縁膜12を形成する。ゲート絶縁膜12上にポリシリコン膜8を基板1主面上に形成する。ポリシリコン膜8上にレジストパターン13を塗布、露光、現像して、n型領域3を形成する領域以外をマスクする。加速エネルギー500keV以上の高加速イオン注入14でフォトダイオードとなるn型領域3を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に電荷転送チャンネルを形成する工程と、前記半導体基板上にポリシリコン膜を形成する工程と、前記ポリシリコン膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクに、500keVから3MeVの範囲内の加速エネルギーでリンをイオン注入することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/148 ,  H01L 21/265 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 27/14 B ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 31/10 A