特許
J-GLOBAL ID:200903028319235938

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-187863
公開番号(公開出願番号):特開平6-037122
出願日: 1992年07月15日
公開日(公表日): 1994年02月10日
要約:
【要約】【目的】 パワー系半導体装置において、ペレット付けの半田層を均一厚に保ち、かつ、熱抵抗を増加させない。【構成】 ペレットの周辺部とくにコーナー部直下の半田厚さがペレット中央部直下より厚くなるようにヘッダ表面に溝または凹凸段差を形成する。【効果】 半田の熱抵抗を大きくすることなく、ペレット外周部直下で半田のせん断歪を小さくし、半田破壊を低減できる。
請求項(抜粋):
金属フレームの一部に半導体ペレットが半田ロウ材を介して接続され、上記半田ロウ材がペレット中央部とその近傍の直下部の厚さよりもペレット周辺またはペレットのコーナーの直下部の厚さが厚くなるように、フレーム面のペレット取付部周縁にそって溝ないし凹凸段差が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/52 ,  H01L 23/50

前のページに戻る