特許

J-GLOBAL ID：200903028320791240

銅スパッタ・ターゲットの製造方法および銅スパッタ・ターゲットと裏当て板の組立体

発明者： シャイレシュ クルカルニ ,  アルフレッド、スノウマン ,  ホルガー、コエニグスマン
出願人/特許権者： プラックセアー エス.ティ.テクノロジー、 インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-204820
公開番号（公開出願番号）：特開2001-049426
出願日： 2000年07月06日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
要約：

【要約】【課題】 微細かつ均一結晶粒サイズで、不規則配向の結晶を有する銅または銅合金スパッタ・ターゲットの提供。【解決手段】 高純度の銅および銅合金材料を、少なくとも約1時間、少なくとも約500°Cの温度に加熱した後、熱間加工で少なくとも約40%の歪みを与える。さらに冷間加工により少なくとも約40%の付加的な歪みを与えてターゲット素材を形成する。その後、少なくとも約300°Cの温度で少なくとも約1時間の焼鈍をターゲット素材に施す。これにより最終スパッタ・ターゲット中に所望不規則結晶配向の微細かつ均一な結晶粒サイズが得られる。またターゲット材料のマイクロ組織を維持するために、ターゲット材料が金属裏当て板に爆発接合される。このスパッタ・ターゲットでは、相互連結で望まれる電気的特性を有し、また最小限パーティクルの高均一性薄膜がスパッタリング形成できる。

請求項（抜粋）：

配向が不規則で微細かつ均一な結晶粒を有する銅スパッタ・ターゲットの製造方法において、銅および銅合金から成る群から選ばれた材料を、少なくとも約1時間、少なくとも約500°Cの温度に加熱する段階と、少なくとも約40%の歪みを与えるように材料を熱間加工する段階と、ターゲット素材を形成するために、熱間加工された材料に少なくとも約40%の歪みを与えるように冷間加工する段階と、配向が不規則で微細かつ均一な結晶粒を有するターゲット素材を得るために、少なくとも約1時間、約300°Cを超える温度でターゲット素材を焼鈍する段階と、配向が不規則で微細かつ均一なターゲット素材中の結晶粒を実質的に保持するために、ターゲット素材を裏当て板に爆発接合する段階とを含む銅スパッタ・ターゲットの製造方法。

IPC (11件)：

C23C 14/34 ,  C22F 1/08 ,  C22F 1/00 601 ,  C22F 1/00 604 ,  C22F 1/00 613 ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 683 ,  C22F 1/00 685 ,  C22F 1/00 691 ,  C22F 1/00 ,  C22F 1/00 694

FI (11件)：

C23C 14/34 A ,  C22F 1/08 A ,  C22F 1/00 601 ,  C22F 1/00 604 ,  C22F 1/00 613 ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 683 ,  C22F 1/00 685 Z ,  C22F 1/00 691 B ,  C22F 1/00 691 C ,  C22F 1/00 694 A