特許
J-GLOBAL ID：200903028330885014
セラミック端子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-039842
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246523
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：
【要約】【課題】 メタルウォール型半導体パッケージに用いるセラミック端子の上面および側面にメタライズ層を形成する際、エッジ部にもメタライズ層を十分な厚さに付けることができるセラミック端子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体素子を収納する金属枠体と絶縁しつつ、金属枠体の内外を電気的に導通するセラミック端子の製造方法であって、グリーンシート90にスルーホール34を形成し、前記スルーホール34部を含むグリーンシート90の上面に帯状のメタライズ層42を形成するとともに、スルーホール34内にメタライズ層44を形成した後、グリーンシート90を焼成することにより、上面および側面にメタライズ層を形成したセラミック端子を得る。
請求項（抜粋）：
半導体素子を収納する金属枠体と絶縁しつつ、前記金属枠体の内外を電気的に導通するセラミック端子の製造方法であって、グリーンシートにスルーホールを形成し、前記スルーホール部を含むグリーンシートの上面に帯状のメタライズ層を形成するとともに前記スルーホール内にメタライズ層を形成した後、前記グリーンシートを焼成することにより、上面および側面にメタライズ層を形成したセラミック端子を得ることを特徴とするセラミック端子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 23/48
, H01L 23/02
, H01L 23/04
, H01L 23/12
H01L 23/48 Z
, H01L 23/02 B
, H01L 23/02 C
, H01L 23/04 E
, H01L 23/12 D
